Home » 論文ナビSCOPE » キーワード分析 » 【論文データ】SRAMの国内研究動向まとめ 【論文データ】SRAMの国内研究動向まとめ 論文ナビは研究者によって運営される論文解説プラットフォームです。このページでは、最近二年間(2016-2017)で発表された文献データを独自に収集・集計して分かりやすくまとめました。論文キーワードマップ、代表的な研究機関、頻出キーワード、分野のシェア、分野関連図、関連文献等により、今までない情報を提供します。 代表的な研究機関 SRAMに関する論文を発表している代表的な機関のリストです 東京大学 金沢大学 名古屋大学 広島大学 日本大学 早稲田大学 ルネサス エレクトロニクス 総合研究大学院大学 大阪工業大学 三菱電機株式会社 日立製作所 福岡工業大学 国立情報学研究所(NII) 岡山県立大学 日本電信電話株式会社 (NTT) 頻出キーワード SRAMに関する論文で良く出現する論文キーワードを集計しました SRAM combinatorial optimization 組合セ最適化 Ising model イジングモデル aging 加齢 NBTI field programmable gate array (FPGA) CMOS FD-SOI variation 変動 low-voltage 低電位 normal distribution 正規分布 分野シェア SRAMに関する論文が発表されている分野内訳 工学 数物系科学 情報学 総合理工 詳細分野シェア SRAMに関する論文が発表されている詳細分野内訳 工学 物理 計算機科学 材料科学 関連論文 国内から発表されているSRAMに関する文献をランダムに選んで表示しています Applying Razor Flip-Flops to SRAM Read Circuits. IEICE Trans. Electron. (2017)名古屋大学総合研究大学院大学東京大学国立情報学研究所(NII) A 20k-Spin Ising Chip to Solve Combinatorial Optimization Problems With CMOS Annealing. IEEE J. Solid-State Circuit (2016)日立製作所 A Compact-Area Low-VDDmin 6T SRAM With Improvement in Cell Stability, Read Speed, and Write Margin Using a Dual-Split-Control-Assist Scheme. IEEE J. Solid-State Circuit (2017)福岡工業大学 Measurement of Static Random Access Memory Power-Up State Using an Addressable Cell Array Test Structure. IEEE Trans. Semicond. Manuf. (2017)東京大学早稲田大学 A SOI Cache-Tag Memory with Dual-Rail Wordline Scheme. IEICE Trans. Electron. (2016)日本電信電話株式会社 (NTT) A Field Programmable Sequencer and Memory with Middle Grained Programmability Optimized for MCU Peripherals. IEICE Trans. Fundam. Electron. Commun. Comput. Sci. (2016)大阪工業大学岡山県立大学金沢大学日本大学三菱電機株式会社 統計データ