Home » 論文ナビSCOPE » キーワード分析 » 【論文データ】3C-SiCの国内研究動向まとめ 【論文データ】3C-SiCの国内研究動向まとめ 論文ナビは研究者によって運営される論文解説プラットフォームです。このページでは、最近二年間(2016-2017)で発表された文献データを独自に収集・集計して分かりやすくまとめました。論文キーワードマップ、代表的な研究機関、頻出キーワード、分野のシェア、分野関連図、関連文献等により、今までない情報を提供します。 代表的な研究機関 3C-SiCに関する論文を発表している代表的な機関のリストです 東北大学 名古屋工業大学 兵庫県立大学 頻出キーワード 3C-SiCに関する論文で良く出現する論文キーワードを集計しました 3C-SiC heteroepitaxy ヘテロエピタキシー photocathode 光陰極 conversion Joule heating ジュール熱 nonlinearity 非線形 epitaxial growth エピタキシャル成長 dislocation 転位 graphene グラフェン epitaxy エピタキシー transmission electron microscopy (TEM) 透過型電子顕微鏡 分野シェア 3C-SiCに関する論文が発表されている分野内訳 数物系科学 総合理工 工学 化学 詳細分野シェア 3C-SiCに関する論文が発表されている詳細分野内訳 物理 材料科学 化学 エネルギー / 燃料科学 電気化学 工学 計測工学 関連論文 国内から発表されている3C-SiCに関する文献をランダムに選んで表示しています Improved performance of 3C-SiC photocathodes by using a pn junction. Int. J. Hydrog. Energy (2017)名古屋工業大学 Steady-state analytical model of suspended p-type 3C-SiC bridges under consideration of Joule heating. J. Micromech. Microeng. (2017)兵庫県立大学 Elimination of double position domains (DPDs) in epitaxial < 111 >-3C-SiC on Si(111) by laser CVD. Appl. Surf. Sci. (2017)東北大学 Formation of qualified epitaxial graphene on Si substrates using two-step heteroexpitaxy of C-terminated 3C-SiC(-1-1-1) on Si(110). Diam. Relat. Mat. (2016)東北大学 Evaluations of crystal defects of 3C-SiC ((1)over-bar(1)over-bar(1)over-bar) film on Si(110) substrate. Phys. Status Solidi A-Appl. Mat. (2016)東北大学 Formation of qualified epitaxial graphene on Si substrates using two-step heteroexpitaxy of C-terminated 3C-SiC(-1-1-1) on Si(110). Diam. Relat. Mat. (2016)東北大学 統計データ
