Home » 論文ナビSCOPE » キーワード分析 » 【論文データ】FD-SOIの国内研究動向まとめ 【論文データ】FD-SOIの国内研究動向まとめ 論文ナビは研究者によって運営される論文解説プラットフォームです。このページでは、最近二年間(2016-2017)で発表された文献データを独自に収集・集計して分かりやすくまとめました。論文キーワードマップ、代表的な研究機関、頻出キーワード、分野のシェア、分野関連図、関連文献等により、今までない情報を提供します。 代表的な研究機関 FD-SOIに関する論文を発表している代表的な機関のリストです 京都工芸繊維大学 神戸大学 日本電信電話株式会社 (NTT) 芝浦工業大学 ルネサス エレクトロニクス 慶応義塾大学 金沢大学 頻出キーワード FD-SOIに関する論文で良く出現する論文キーワードを集計しました FD-SOI low-power 低出力 soft error neutron irradiation 中性子照射 Monte Carlo simulation モンテカルロシミュレーション radiation effects 照射効果 SRAM CMOS 分野シェア FD-SOIに関する論文が発表されている分野内訳 工学 情報学 詳細分野シェア FD-SOIに関する論文が発表されている詳細分野内訳 工学 原子力工学 計算機科学 関連論文 国内から発表されているFD-SOIに関する文献をランダムに選んで表示しています Power Optimization Methodology for Ultralow Power Microcontroller With Silicon on Thin BOX MOSFET. IEEE Trans. Very Large Scale Integr. (VLSI) Syst. (2017)芝浦工業大学慶応義塾大学 A Radiation-Hardened Non-Redundant Flip-Flop, Stacked Leveling Critical Charge Flip-Flop in a 65 nm Thin BOX FD-SOI Process. IEEE Trans. Nucl. Sci. (2016)京都工芸繊維大学 A Radiation-Hardened Non-Redundant Flip-Flop, Stacked Leveling Critical Charge Flip-Flop in a 65 nm Thin BOX FD-SOI Process. IEEE Trans. Nucl. Sci. (2016)京都工芸繊維大学 Analysis of Soft Error Rates in 65-and 28-nm FD-SOI Processes Depending on BOX Region Thickness and Body Bias by Monte-Carlo Based Simulations. IEEE Trans. Nucl. Sci. (2016)京都工芸繊維大学 A SOI Cache-Tag Memory with Dual-Rail Wordline Scheme. IEICE Trans. Electron. (2016)日本電信電話株式会社 (NTT) A 28-nm 484-fJ/writecycle 650-fJ/readcycle 8T Three-Port FD-SOI SRAM for Image Processor. IEICE Trans. Electron. (2016)ルネサス エレクトロニクス金沢大学神戸大学 統計データ